We develop the concept and the calculus of anti-self dual Lagrangians which seem inherent to many questions in mathematical physics, geometry, and differential equations. They yield variational formul...
Sia Ω un dominio limitato di R2 e sia k>1 un numero reale. Denotiamo con E(k) l’insieme delle matrici quadrate di ordine 2, misurabili a valori nello spazio delle funzioni limitate su Ω tali che A(...
Nello studio di un fenomeno governato dalle equazioni classiche della fisica matematica, l’applicazione del modello a situazioni reali richiede la conoscenza di parametri che nel modello sono consider...
We revisit studies on extension of Lipschitz maps and obtain new results about extension of displacements of bounded strain tensors. These questions are of interest in elasticity theory, optimal desig...
Recently, Bourgain Brezis and Mironescu proved that solutions of the stationnary Ginzburg-Landau equations in dimension 3 (and in a suitable setting) are uniformly bounded in $W^{1,p}$ for any $p <...
L’introduzione di perturbazioni semilineari nelle equazioni di Maxwell permette di interpretare da un punto di vista unitario la relazione tra campo elettromagnetico e materia: le particelle sono desc...
In this talk we consider two different types of superlinear elliptic problems. One Ambrosetti–Prodi type and another Brezis– Nirenberg type. We will show how similar ideas will lead to different quali...
Il problema dell’esistenza di curve di massima pendenza associate a funzionali non convessi del calcolo delle variazioni e` ancora largamente aperto. Descrivero le difficolta esistenti nello studio de...
Il sistema di equazioni Maxwell-Dirac descrive l’interazione tra campo elettromagnetico e una particella dotata di spin (elettrone). In questo seminario descriveremo la struttura non lineare del siste...
E‘ noto che per equazioni ellittiche esiste la crescita critica per la nonlinearita che genera i fenomeni interessanti di non compattezza e di concentrazione. La crescita critica viene data dal caso l...
Abstract: La passeggiata aleatoria di Mott è utilizzata per studiare la conduzione elettrica in semiconduttori dopati a basse temperature. Gli elettroni risultano essere localizzati attorno alle impur...
