Abstract: La passeggiata aleatoria di Mott è utilizzata per studiare la conduzione elettrica in semiconduttori dopati a basse temperature. Gli elettroni risultano essere localizzati attorno alle impurità del semiconduttore dopato e compiono opportune passeggiate aleatorie (dette "passeggiate di Mott con salti di lunghezza variabile") saltando da un'impurità all'altra. Le impurità sono posizionate nel semiconduttore in modo disordinato e possono essere modelizzate con un insieme discreto di punti anch'esso aleatorio. In particolare, la passeggiata di Mott è un esempio di passeggiata aleatoria in un mezzo aleatorio. Nel seminario descriveremo tale modello e discuteremo alcuni risultati rigorosi a conferma della legge di Mott, legge fisica (e non derivata in modo rigoroso) riguardante il decadimento della conduttività elettrica a basse temperature.